如何區分場效應管與IGBT管?

作者：黑金剛電容    發布時間：2023-09-25 21:11:27  訪問量：2399  來源：超級電容組

如何區分場效應管與IGBT管?

兩者是不同的管型，一般此類功率器件多數是并聯來提高工作電流，而串聯只能升高工作電壓，而要提高工作電壓可以選擇耐壓較大的管子，不必用管子來串聯提高，沒有必要!至于是否能加管子那要看電路的功率余量(電源、輸出、驅動)一般是不行的。單管IGBT屬于絕緣門極晶體管，第四代逆變技術。

相對MOS管皮實耐用，MOS場效應管，屬于第三代逆變技術。多個MOS管串聯，其中一個炸管其他全炸。效應晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型(junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管(metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET)。

由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107～1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

相關資訊推薦：

如何改善聚丙烯薄膜電容的溫度特性?

哪些電子設備經常使用黑金剛電容?

?薄膜電容在高頻電路和通信領域的應用

聲明：本文由櫻拓貿易收集整理關于 黑金剛電容相關的《如何區分場效應管與IGBT管?》，如轉載請保留鏈接:http://m.jyxdz.com/news_in/1232。